铟
授赖希由于对铊的一些性质感兴趣，希望得到足够的金属进行实验研究。于是他在1863年开始在夫赖堡希曼尔斯夫斯特出产的锌矿中寻找这种金属。这种矿石所含主要成分是含砷的黄铁矿、闪锌矿、辉铅矿、硅土、锰、铜和少量的锡、镉等。赖希认为其中还可能含有铊。虽然实验花费了很多时间，他却没有获得期望的元素。但是他得到了一种不知成分的草黄色沉淀物。他认为是一种新元素的硫化物。
区熔锗锭（Zone refined germanium ingot）是指用区熔方法提纯得到的锗锭，合格产品纯度在99.9999%以上，电阻率达到47欧.cm(23+/-0.5度)以上，条状，梯形截面（26mmB×21mmT×23mmL），银灰色金属光泽，表面无裂纹（细看有多晶花纹），无粘渣，性脆，易断裂，硬度5.0左右，微导电，属于典型的半导体，不溶于盐酸，硝酸和常碱，但溶于HF、王水和热的NAOH溶液中，在有H202作用下溶解速度更快。区熔锗锭是纯度很高的多晶，主要用于锗单晶生产的原料。我国是世界上主要的锗材料生产大国，每年产量60多吨，由于其主要用于制造卫星上的电池片和武器装备上的夜视仪，且其在地球上的含量极其稀少（按照目前国内锗的开发速度，50年左右即将将国内锗消耗殆尽），发达国家都将其作为战略储备物资予以存储和投放。
铟的配位聚合物：
1. In(Ⅲ)与刚性的二羧酸（1,3-间苯二甲酸和1,4-萘二酸），在不同的溶剂中得到了四个化合物[In_2(OH)_2(1,3-BDC)_2(2,2’-bipy)2](1)，HIn(1,3-BDC)_2·2DMF (2)，In(OH)(1,4-NDC)·2H_2O (3)和HIn(1,4-NDC)_2·2H_2O·1.5DMF (4)。化合物1是1D链状结构，化合物2是2D层状结构，它们分别通过π-π相互作用终形成了3D超分子结构。化合物3和4都是无限的3D网络结构，虽然用的是同一羧酸配体，但是由于所用溶剂的不同，化合物3形成的是SrAl2拓扑结构，而化合物4形成的是2-重穿插的dia拓扑结构。化合物1-4的合成，充分证明了溶剂在配位聚合物的合成过程中起到的重要作用。
金属铟具有延展性好，可塑性强，熔点低，沸点高，低电阻，抗腐蚀等优良特性，且具有较好的光渗透性和导电性，被广泛应用于宇航、无线电和电子工业、医疗、国防、高新技术、能源等领域。生产ITO靶材（用于生产液晶显示器和平板屏幕）是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的70%；其次电子半导体领域，占全球消费量的12%；焊料和合金领域占12%；研究行业占6%。